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<p>三星晓示大限制坐蓐 3 纳米半导体芯片</p>

时间:2022-07-07 02:51 点击:153 次

<p>三星晓示大限制坐蓐 3 纳米半导体芯片</p>

  DoNews6月30日音书(郭睿琦)三星电子当天晓示,基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片照旧开动初步坐蓐。该公司照旧开动在其位于韩国的华城工场大限制坐蓐 3 纳米半导体芯片,是群众首家量产 3 纳米芯片的公司。

  3nm GAA技能吸收了更宽通的纳米片,与吸收窄通道纳米线的GAA技能比拟能提供更高的性能和能耗比。

  与三星5nm工艺比拟,第一代3nm工艺不错使功耗缩短45%,性能进步23%,芯单方面积减少16%;而改日第二代3nm工艺则使功耗缩短50%,性能进步30%,芯单方面积减少35%。

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